今岁首有报道称，三星正正在饱吹BSPDN的行使，宗旨来岁量产的2nm工艺引入后背供电本事。三星期望通过BSPDN转变逛戏轨则，让其不妨更好地与台积电（TSMC）正在代工营业上逐鹿。

　　据TrendForce报道，迩来三星晶圆代工PDK开荒团队的高级副总裁Lee Sun-Jae正在举动上，先容了BSPDN后背供电本事的少许处境，显露相较于古代的FSPDN供电形式，正在同样是2nm芯片的处境下，采用BSPDN的SF2Z工艺能够裁汰约17%的芯单方积，并为能效和本能带来约15%和8%的晋升。另外PG电子官方网站，通过后背供电本事，能够清除供电线途和信号线途之间的瓶颈，更轻松地临蓐出更小的芯片。

　　遵循三星正在2nm制程节点上面的筹划，初代的SF2工艺将于2025年量产，2026年则会推出更正的SF2P工艺以及面向HPC/AI行使的SF2X工艺，2027年则会有参加BSPDN后背供电本事的SF2Z工艺，同样面向HPC/AI行使，此外同年还会有效于车用芯片的SF2A工艺。

　　除了三星以外，英特尔和台积电也有犹如的本事。英特尔的是PowerVia本事，宗旨正在Intel 20A制程节点初次引入，通过清除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。台积电所采用的超等电轨（Super Power Rail）架构被以为是最直接有用的处理计划，合用于具有繁杂讯号及麇集供电汇集的HPC产物，估计2026年量产，将大界限行使于A16制程工艺上。